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CY62128ELL-45SXIT SRAM芯片CYPRESS

發(fā)布時(shí)間:2024-07-18 09:21:17     瀏覽:391

CY62128ELL-45SXIT SRAM芯片CYPRESS

  CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生產(chǎn)的一款高性能 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)芯片。以下是該芯片的詳細(xì)介紹:

  主要特點(diǎn)

  1. 訪問速度:45 ns,這意味著從發(fā)出讀取命令到數(shù)據(jù)可用之間的時(shí)間為45納秒。

  2. 工作溫度范圍:

  - 工業(yè)級:-40 °C 至 +85 °C

  - 汽車級A:-40 °C 至 +85 °C

  - 汽車級E:-40 °C 至 +125 °C

  3. 電壓供應(yīng):4.5 V 至 5.5 V,適用于5V系統(tǒng)。

  4. 引腳兼容性:與 CY62128B 系列芯片引腳兼容,便于升級和替換。

  5. 低功耗:

  - 待機(jī)電流:典型值為1 μA,最大值為4 μA(工業(yè)級)

  - 工作電流:典型值為1.3 mA(在1 MHz頻率下)

  6. 存儲擴(kuò)展:通過 CE$ _1 $、CE$ _2 $ 和 OE 引腳支持存儲擴(kuò)展。

  7. 自動斷電:當(dāng)設(shè)備未被選中或地址不變時(shí),自動進(jìn)入低功耗模式。

  8. CMOS工藝:采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝,優(yōu)化了速度和功耗。

  9. 環(huán)保封裝:提供無鉛和無鹵素的封裝選項(xiàng),包括32引腳的STSOP、SOIC和TSOP封裝。

  功能描述

  CY62128E 是一款組織為 128K 字 × 8 位的靜態(tài) RAM 芯片。它采用先進(jìn)的電路設(shè)計(jì),旨在提供極低的功耗,非常適合需要長時(shí)間電池壽命的便攜式應(yīng)用。

  - 待機(jī)模式:當(dāng)設(shè)備未被選中(CE$ _1 $ 高或 CE$ _2 $ 低)時(shí),功耗減少超過99%。此時(shí),八個(gè) I/O 引腳(I/O$ _0 $ 至 I/O$ _7 $)處于高阻態(tài),輸出被禁用(OE 高),或者寫操作正在進(jìn)行(CE$ _1 $ 低且 CE$ _2 $ 低且 WE 低)。

  - 寫操作:當(dāng) CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高,并且 WE 低時(shí),數(shù)據(jù)通過 I/O 引腳寫入指定的內(nèi)存位置。

  - 讀操作:當(dāng) CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高,并且 OE 低同時(shí) WE 高時(shí),內(nèi)存位置的數(shù)據(jù)通過 I/O 引腳讀取。

  CY62128E適合與具有 TTL 輸入電平的處理器接口,但不適合需要 3V 輸入電平的處理器。

  應(yīng)用

  - 便攜式設(shè)備

  - 工業(yè)控制系統(tǒng)

  - 汽車電子

  - 通信設(shè)備


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