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  Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

  Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應(yīng)用（如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開(kāi)關(guān)電路），關(guān)鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導(dǎo)通電阻300mΩ、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為T(mén)O-254密封封裝，有背面隔離，可進(jìn)行JANTX、JANTXV篩選；絕對(duì)最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù)，如漏源電壓650V、結(jié)溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。

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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點(diǎn)，A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn)，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括絕對(duì)容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機(jī)械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤(pán)數(shù)量符合特定要求。