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  Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET 2024-11-11 09:27:06

  Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有空穴流載流子、負(fù)柵極電壓需求、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和廣泛電壓等級(jí)等特點(diǎn)，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，包括工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，特別是車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品。

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  SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊 2024-02-20 11:46:51

  Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊，以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢(shì)，具有獨(dú)特的穩(wěn)健、簡(jiǎn)單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競(jìng)爭(zhēng)模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度，同時(shí)通過(guò)引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源總線。