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  Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET 2024-05-21 09:31:52

  2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET晶體管，封裝T0-18，最大Vgss 30V，Igs -90mA/-60mA/-25mA，RDS(on) 75Ω/100Ω/175Ω，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)，低導(dǎo)通電阻，高關(guān)斷隔離，適用于±10VAC信號處理，無需驅(qū)動(dòng)器，僅需+5V邏輯。注意工作時(shí)的絕對最大額定值。

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  Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET 2024-11-11 09:27:06

  Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有空穴流載流子、負(fù)柵極電壓需求、簡化設(shè)計(jì)和廣泛電壓等級等特點(diǎn)，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，包括工業(yè)和汽車應(yīng)用，特別是車規(guī)級產(chǎn)品。