ADI晶圓各種材料工藝對(duì)應(yīng)輸出功率及頻率
發(fā)布時(shí)間:2021-05-21 17:09:32 瀏覽:1140
在電子器件中,射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車(chē)電子學(xué)等)。
由于其高功率密度,GaN在基站大功率器件領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。與硅襯底相比,SiC襯底具有更好的導(dǎo)熱特性。目前,工業(yè)上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底,如Qorvo是基于SiC襯底的,硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作,具有更高的成本優(yōu)勢(shì)。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中,SiC襯底與GaN on Silicon的競(jìng)爭(zhēng)僅占該領(lǐng)域的一小部分。GaN市場(chǎng)主要集中在低壓領(lǐng)域,而SiC主要用于高壓領(lǐng)域。他們的邊界約為600 V。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)渠道提供ADI晶圓產(chǎn)品Waffle,專(zhuān)業(yè)此道,歡迎合作。
詳情了解ADI Wafer Products請(qǐng)點(diǎn)擊:/brand/68.html
或聯(lián)系我們的銷(xiāo)售工程師:0755-83050846 QQ: 3312069749
推薦資訊
DEI?的DEI1148是個(gè)BiCMOS機(jī)械設(shè)備,包括八路差分線路接收器。每個(gè)接收通道將輸入ARINC429數(shù)據(jù)總線信號(hào)(三電平RZ雙極差分調(diào)制)轉(zhuǎn)換成一對(duì)TTL/CMOS邏輯輸出。每個(gè)通道單獨(dú)運(yùn)作,滿(mǎn)足ARINC429數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)通信標(biāo)準(zhǔn)的需求。
POL(Point of Load)非隔離DC-DC電源模塊,即靠近CPU、MCU、FPGA、DSP、ASIC配置的電源轉(zhuǎn)換器件,近年來(lái)隨著這些大規(guī)模集成性能的提高,要求供電的電壓越來(lái)越低,并增大電流,而降低電壓后,電壓精度隨著負(fù)載變化而需要高速響應(yīng),而POL電源模塊以其高速響應(yīng)的能力,被廣泛應(yīng)用于高精度的電源供電場(chǎng)景。
在線留言