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  Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET 2024-05-16 09:31:15

  Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款高效N溝道25V MOSFET，采用TrenchFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。適用于適配器和負(fù)載開(kāi)關(guān)，尤其在高側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件在Vgs=10V時(shí)提供25V漏源電壓和0.0115Ω導(dǎo)通電阻，支持高達(dá)15.1A的連續(xù)漏極電流和32A的脈沖電流，同時(shí)具備良好的熱特性。

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  NXP恩智浦半導(dǎo)體：MCU微控制器的創(chuàng)新力量與廣泛應(yīng)用 2024-11-27 08:50:53

  NXP恩智浦半導(dǎo)體作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，憑借其全面的產(chǎn)品線和創(chuàng)新技術(shù)，在汽車、物聯(lián)網(wǎng)、安全連接和移動(dòng)設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。其核心產(chǎn)品微控制器（MCU）系列豐富多樣，從基礎(chǔ)到高端應(yīng)用全覆蓋，基于多核架構(gòu)如ARM Cortex-M系列，具備強(qiáng)勁性能、節(jié)能設(shè)計(jì)、多樣接口、高集成度和強(qiáng)大的安全性，廣泛應(yīng)用于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、能源管理和航空航天等多個(gè)領(lǐng)域，推動(dòng)智能設(shè)備和系統(tǒng)的發(fā)展。